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IRGIB6B60KDPBF

功能描述：IGBT 晶体管 600V Low-Vceon

RoHS：否

制造商：Fairchild Semiconductor

配置：

集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V

集电极—射极饱和电压：2.3 V

栅极/发射极最大电压：20 V

在25 C的连续集电极电流：150 A

栅极—射极漏泄电流：400 nA

功率耗散：187 W

最大工作温度：

封装 / 箱体：TO-247

封装：Tube

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